Zuschlagsreif

Ergebnis der Vergabe

Entwicklung SiC-Gapschalter

Beschreibung

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten

Dossier: Zuschlagskriterien, Eignung, Checkliste — mit Konto

Mit einem Konto liest Zuschlagsreif die Vergabeunterlagen dieses Verfahrens und erstellt daraus ein Dossier: Zuschlagskriterien mit Gewichtung, Eignungsanforderungen, Zeitplan und eine Checkliste der einzureichenden Unterlagen.

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Angaben aus der Bekanntmachung

Ort
Darmstadt
Bundesland
Hessen
CPV
31712117 — Baugruppen aus integrierten Schaltungen
Verfahrensart
Verhandlungsverfahren mit vorheriger Veröffentlichung eines Aufrufs zum Wettbewerb/Verhandlungsverfahren
Veröffentlicht
20.04.2026
Zuschlag am
20.04.2026
Kennung
bb3bd445-fe37-43a7-b79b-6e8ca83ad01f
Quelle
oeffentlichevergabe.de (Bund)

Zuschlag

Verlauf des Verfahrens

Verbindlich sind allein die Angaben auf dem Vergabeportal. Stand dieser Seite: 11.09.2026, 17:37.